【CNMO科技消息】5月13日，CNMO科技了解到，根据产业链最新消息，此前备受行业关注的类HBM手机存储技术研发目前并未取得实质性进展，相关研发项目或将宣告终止。
存储芯片
HBM即高带宽内存，目前主要应用于高性能计算、人工智能服务器及高端显卡等领域，凭借高带宽、低功耗的特性，成为提升数据处理效率的关键组件。由于手机端对功耗敏感度极高且内部空间极其有限，行业内曾一度尝试将类似HBM的技术架构引入智能手机，以应对未来端侧AI大模型对内存带宽的极高需求。
然而，从产业链反馈的最新动态来看，将此类技术移植至移动端面临巨大挑战。首先是成本问题，HBM的制造工艺复杂且封装难度大，导致其生产成本远高于目前主流的LPDDR内存。其次是发热与功耗控制，手机内部散热空间有限，而HBM在高速运行下产生的热量较难在紧凑的手机结构中有效导出。
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目前，智能手机厂商主要通过提升LPDDR5X等现有内存标准的频率及带宽来满足性能需求，并未在短期内全面转向类HBM方案。业内分析认为，随着移动端AI功能的普及，虽然对内存带宽的需求持续增长，但受限于技术成熟度与性价比，类HBM技术在手机领域的应用短期内难以落地。
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